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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
总分
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
14.8
17.1
写入速度,GB/s
9.0
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
2833
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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