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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
62
左右 56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
62
读取速度,GB/s
14.8
15.9
写入速度,GB/s
9.0
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
1891
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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