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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.6
17.2
写入速度,GB/s
8.2
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
3189
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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