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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
75
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
75
读取速度,GB/s
10.1
14.7
写入速度,GB/s
7.1
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
1590
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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