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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
10.1
16.5
写入速度,GB/s
7.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3130
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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