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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
10.1
18.4
写入速度,GB/s
7.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3583
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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