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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
10.1
17.8
写入速度,GB/s
7.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3555
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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