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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
10.1
15.1
写入速度,GB/s
7.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2939
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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