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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
10.1
17.4
写入速度,GB/s
7.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2876
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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