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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
10.1
15.3
写入速度,GB/s
7.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2973
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
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