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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
11.7
15.8
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2806
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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