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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
11.7
17.3
写入速度,GB/s
8.0
14.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3367
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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