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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

总分
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

总分
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB 需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 42
    左右 -24% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    11.7 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 10.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2535 left arrow 2759

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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内存RAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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