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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
11.7
17.2
写入速度,GB/s
8.0
13.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3007
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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