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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
11.7
15.0
写入速度,GB/s
8.0
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2664
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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