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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
11.7
15.8
写入速度,GB/s
8.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2711
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
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