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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
52
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
52
读取速度,GB/s
11.7
10.0
写入速度,GB/s
8.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2306
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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