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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
42
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
31
读取速度,GB/s
11.7
15.5
写入速度,GB/s
8.0
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2060
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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