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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
9.9
17.2
写入速度,GB/s
8.2
12.4
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3035
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
最新比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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