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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.9
14.5
写入速度,GB/s
8.2
9.0
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2374
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Frequency (Mhz) *
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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