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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.9
18.3
写入速度,GB/s
8.2
14.6
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3474
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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