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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
52
左右 -49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
35
读取速度,GB/s
9.9
13.5
写入速度,GB/s
8.2
10.3
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2155
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
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