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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
14.0
14.6
写入速度,GB/s
8.4
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2186
2298
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
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