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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
12.8
18.4
写入速度,GB/s
9.0
14.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3203
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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