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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
66
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
66
读取速度,GB/s
12.8
15.9
写入速度,GB/s
9.0
7.9
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1877
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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