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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
9.0
11.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2537
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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