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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
12.8
15.8
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2761
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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