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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

总分
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

总分
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB 需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 42
    左右 -17% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    21.3 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.8 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 14900
    左右 1.72 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 21.3
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 16.8
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3610

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM的比较

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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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内存RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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内存RAM
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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