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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB 需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 65
    左右 -183% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 12.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 2977

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较

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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
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内存RAM
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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内存RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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