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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,018.7
14.2
写入速度,GB/s
1,711.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2596
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
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