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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
65
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
40
读取速度,GB/s
4,018.7
13.8
写入速度,GB/s
1,711.1
10.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2755
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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