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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
65
左右 -210% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
21
读取速度,GB/s
4,018.7
18.9
写入速度,GB/s
1,711.1
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3490
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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