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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.8
    测试中的平均数值
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 65
    左右 -103% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 3593

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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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