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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 65
    左右 -97% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 2949

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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内存RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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