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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
4,018.7
17.0
写入速度,GB/s
1,711.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3140
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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