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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,018.7
15.2
写入速度,GB/s
1,711.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2571
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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