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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
65
左右 -225% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.1
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
20
读取速度,GB/s
4,018.7
20.0
写入速度,GB/s
1,711.1
17.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3703
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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