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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
65
左右 -171% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.2
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
24
读取速度,GB/s
4,018.7
21.7
写入速度,GB/s
1,711.1
19.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
4349
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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