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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
4,018.7
14.5
写入速度,GB/s
1,711.1
9.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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