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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
4,018.7
14.9
写入速度,GB/s
1,711.1
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2327
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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