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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
4,018.7
17.2
写入速度,GB/s
1,711.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3311
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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