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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
65
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
38
读取速度,GB/s
4,018.7
14.2
写入速度,GB/s
1,711.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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