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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
30
读取速度,GB/s
4,018.7
15.9
写入速度,GB/s
1,711.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2494
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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