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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 65
    左右 -183% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.9 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 6.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 2231

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kingston 9905713-028.A00G 8GB
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内存RAM
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Kingston HX421C14FB/4 4GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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