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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    52 left arrow 65
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.6 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 52
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 7.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 2384

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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内存RAM
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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内存RAM
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