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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
33
读取速度,GB/s
4,018.7
16.2
写入速度,GB/s
1,711.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2665
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
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