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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
65
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
32
读取速度,GB/s
4,018.7
14.5
写入速度,GB/s
1,711.1
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2625
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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