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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
65
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
43
读取速度,GB/s
4,018.7
13.9
写入速度,GB/s
1,711.1
8.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2058
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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