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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Super Talent F26UB16GH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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需要考虑的原因
Super Talent F26UB16GH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.5
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
4,018.7
8.7
写入速度,GB/s
1,711.1
6.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
1769
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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