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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
66
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
32
读取速度,GB/s
2,929.1
18.5
写入速度,GB/s
2,978.2
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3356
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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